如何選擇合適的電容器及射頻產(chǎn)品中的設(shè)計(jì)

隨著當(dāng)今無(wú)線技術(shù)的進(jìn)步，人們將更多的精力放在了組件性能上。本文將討論陶瓷和瓷片電容器，并了解它們?cè)谏漕l產(chǎn)品設(shè)計(jì)中的行為。它們是絕對(duì)需要體積效率，可靠性和RF性能的無(wú)線應(yīng)用的絕佳選擇。
設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)
ATC陶瓷貼片電容器最常用的設(shè)計(jì)類別是多層（MLC）和單層（SLC）。MLC使用多個(gè)或堆疊的電極部分，而SLC包含兩個(gè)由電介質(zhì)隔開的電極。兩者均按照以下設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)造：
選擇合適的電容器
選擇用于RF無(wú)線應(yīng)用的陶瓷貼片電容器時(shí)，建立整體電路性能標(biāo)準(zhǔn)非常重要。然后應(yīng)將組件與特定的應(yīng)用程序要求相匹配。該電路元件的典型性能要求購(gòu)物清單可能包括以下內(nèi)容：
表現(xiàn)
理想的電容器將其所有能量存儲(chǔ)在電介質(zhì)中，即1 /2CV2。但是，可實(shí)現(xiàn)的電容器將始終表現(xiàn)出一定的串聯(lián)電阻，必須加以考慮。稱為等效串聯(lián)電阻（ESR）的串聯(lián)電阻始終是RF電路設(shè)計(jì)中要考慮的最重要因素之一。它主要?dú)w因于介電損耗以及電極和端接材料的金屬損耗的影響。而且，必須在每個(gè)階段都對(duì)制造過(guò)程進(jìn)行適當(dāng)?shù)目刂疲源_保獲得最佳的ESR性能。在從Hz到KHz的低頻區(qū)域，ESR的主要貢獻(xiàn)是介電損耗。但是，在RF頻率下，ESR主要是由于金屬損耗（即電極和端子）引起的。
大多數(shù)制造商通常在特定頻率下以毫歐表示ESR。最經(jīng)常用作準(zhǔn)則的標(biāo)準(zhǔn)是EIA RS483和MIL-C-55681。在30 MHz和1 GHz之間的各種頻率下執(zhí)行測(cè)量。因此，有必要在您的特定設(shè)計(jì)頻率下考慮ESR值。例如，如果您正在設(shè)計(jì)用于900 MHz的無(wú)線應(yīng)用，并且ESR指定為150 MHz，則可以通過(guò)將150 MHz的指定ESR乘以√900/150來(lái)計(jì)算900 MHz的ESR。這種關(guān)系在RF上表現(xiàn)良好，并解釋了“皮膚效應(yīng)”。ESR是電容器的主要損耗元件，用于確定功率損耗，即：P =I2* ESR。
品質(zhì)因數(shù)（Q）是品質(zhì)因數(shù)，是電容器在電介質(zhì)中存儲(chǔ)能量的能力的度量。由于Q = Xc / ESR，因此很明顯，低ESR會(huì)產(chǎn)生高Q。與ESR一樣，必須在設(shè)計(jì)頻率下指定或計(jì)算Q。
耗散因數(shù)（DF）也稱為損耗角正切，是Q的倒數(shù)，即DF = 1 / Q。使用理想的電容器，電流可使電壓超前90度。然而，實(shí)際的電容器將具有稱為損耗角的小角度。損耗角的切線等于耗散因數(shù)，它表示電容器中總無(wú)功功率的哪一部分將作為熱量而損耗，即耗散損耗。
例子：損失角= 3度； 因此DF =棕褐色3 = 0.05或5％。
在上面的示例中，耗散因子為0.05或5％。這意味著電容器中總功率的5％由于熱量而損失。請(qǐng)參考圖1。

為無(wú)線應(yīng)用選擇射頻芯片電容器
寄生行為無(wú)線設(shè)計(jì)應(yīng)用中的另一個(gè)主要問(wèn)題是電抗元件的寄生行為。電容器可以用等效電路元件建模，該等效電路元件考慮了寄生效應(yīng)。圖2顯示了集總元件模型，并且對(duì)于這些應(yīng)用中的片式電容器有效。使用該模型可以幫助設(shè)計(jì)人員確定諸如串聯(lián)諧振頻率（Fsr），等效串聯(lián)電感（ESL）和傳遞函數(shù)特性之類的特性。

為無(wú)線應(yīng)用選擇RF芯片電容器