刻蝕是半導(dǎo)體制造業(yè)的一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)?？涛g通過(guò)物理或化學(xué)方法去除硅晶片表面上不必要的材料，以便正確地將掩模圖案復(fù)制到涂覆的硅晶片上。
刻蝕進(jìn)程需要刻蝕機(jī)器。現(xiàn)在，雖然中國(guó)在光刻機(jī)領(lǐng)域難以突破，但在刻蝕機(jī)器領(lǐng)域已經(jīng)有所突破。
中微半導(dǎo)體是刻蝕，的龍頭企業(yè)，由尹志堯于2004年創(chuàng)立。
尹志堯是半導(dǎo)體領(lǐng)域的大人物，已經(jīng)為英特爾和應(yīng)用材料等巨頭工作了20多年。目前，應(yīng)用材料在全球刻蝕機(jī)械市場(chǎng)排名第三，份額為19%。
中微半導(dǎo)體5納米刻蝕機(jī)成功進(jìn)入臺(tái)積電生產(chǎn)線
因此，尹志堯擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。當(dāng)時(shí)，有30多個(gè)精英團(tuán)隊(duì)與尹志堯一起回國(guó)。在這群人的共同努力下，中微半導(dǎo)體一直在深入挖掘中等刻蝕的領(lǐng)域，成為行業(yè)內(nèi)新的黑馬。
經(jīng)過(guò)十多年的堅(jiān)持，中微半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)了從65納米到最先進(jìn)的5納米的突破。此外，中微半導(dǎo)體的5納米刻蝕機(jī)已成功進(jìn)入臺(tái)積電生產(chǎn)線
因此，中微半導(dǎo)體成為mainland China本地設(shè)備制造商中唯一被臺(tái)積電認(rèn)可的制造商。
中微半導(dǎo)體的這一系列成就給美國(guó)帶來(lái)了壓力。為了搶占中國(guó)市場(chǎng)，2015年，美國(guó)商務(wù)部解除了對(duì)中國(guó)等離子刻蝕設(shè)備的出口管制。
中微半導(dǎo)體的突破與其對(duì)R&D的重視密不可分.
根據(jù)IPRdaily和incoPat近日聯(lián)合發(fā)布的“科創(chuàng)板225家上市公司有效發(fā)明專利名單”，中微半導(dǎo)體排名第六，全球發(fā)明專利，共有1142家，數(shù)量可觀。
中微半導(dǎo)體每年都投入大量資金進(jìn)行研發(fā)，2019年公司在R&D投資4.25億元.今年，公司收入為19.47億元，R&D投資約占收入的21.8%。
這個(gè)比例堪比很多海外科技巨頭。憑借在R&D的巨額投資，中微半導(dǎo)體可以如此迅速地取得輝煌的突破。
目前，中微半導(dǎo)體的性能不斷提高。根據(jù)中微半導(dǎo)體2020年度業(yè)績(jī)預(yù)測(cè)，歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)同比至少增長(zhǎng)133.34%，達(dá)到4.4-5.2億元。
中微半導(dǎo)體的迅速崛起引起了人們的關(guān)注。但也要認(rèn)識(shí)到，目前公司規(guī)模有限，很難與半導(dǎo)體巨頭競(jìng)爭(zhēng)。
而且，刻蝕全球設(shè)備市場(chǎng)處于寡頭壟斷狀態(tài)，盤林半導(dǎo)體、TEL、應(yīng)用材料三大巨頭占據(jù)了行業(yè)內(nèi)近91%的市場(chǎng)。這給中微半導(dǎo)體的發(fā)展帶來(lái)了挑戰(zhàn)。
此外，刻蝕設(shè)備更新速度快，所以中微半導(dǎo)體必須不斷克服，保持技術(shù)領(lǐng)先。
行業(yè)資訊 
在線計(jì)價(jià) 
2021-04-27 18:21:59
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