銅鎳基板LED芯片具有更好的散熱性能

，且經(jīng)過900 mA常溫老化192 h后， ，研究發(fā)現(xiàn)， 【摘要】： 通過電鍍的方法將Si襯底GaN LED薄膜分別轉移至銅鉻、銅鎳基板上，表明在LED工作狀態(tài)下銅鎳基板LED芯片具有更優(yōu)良的力學性能;銅鎳基板LED芯片的波長漂移較銅鉻基板更小，銅鎳基板LED芯片較銅鉻基板具有更優(yōu)良的力、熱、光、電特性。
芯片電學性能穩(wěn)定，說明銅鎳基板LED芯片具有更好的散熱性能;高分辨XRD結果顯示銅鉻基板LED薄膜受殘余張應力作用，。
 
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